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論文資訊
- 類型：工作論文
- 編號：工作論文 #1206
- 日期：2026-03-18
摘要
儘管大多數突變都是有害的，但體細胞突變和生髮中心 (GC) 內的選擇之間的相互作用會導致高親和力記憶 B 細胞的快速生成。具有大量突變的高親和力 B 細胞是如何在 GC 中產生和保存的，在其高峰期僅含有數千個細胞，一直令人費解。我們開發了一種 GC 內的體細胞突變和 B 細胞擴增模型來解決這個難題。我們表明，抗原選擇的中心細胞經常回收回中心母細胞可以導致有效的親和力成熟。即使大多數選定的中心細胞再循環回中心母細胞，記憶細胞也會大量產生。我們的模型表明，生髮中心反應中細胞輸出低至生髮中心解離點，然後將中心細胞釋放到外周，有利於產生高親和力記憶。