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論文資訊
- 類型：工作論文
- 編號：工作論文 #127
- 日期：2026-03-18
摘要
我們最近導出了密堆積結構（CPS）中模組化層（ML）之間的成對（自）相關函數（CF）的解析表達式，用於可描述為隱馬可夫模型（HMM）的廣泛堆疊過程[Riechers et al, (2014), Acta Crystallogr. A，XX 000-000]。我們現在使用這些結果直接從 HMM 計算衍射圖案 (DP)，發現 HMM 和 DP 之間的關係本質上既簡單又基本。我們證明，在大晶體的限制下，DP 是指定 HMM 的參數的函數。我們給出了三個基本但重要的例子來證明這一結果，推導了 CPS 的 DP 表達式：(i) 獨立堆疊，(ii) 在整個生長和變形斷層機率範圍內作為無限馬可夫階隨機斷層 2H 和 3C 堆疊結構，以及 (iii) 作為模擬 6H-SiC 中 Shockley-Frank 堆疊層錯的 HMM。雖然此處應用於 CPS 中的平面斷層，但將方法和結果擴展到其他層狀材料中的平面無序是很簡單的。透過這種方式，我們有效地解決了對任何堆疊結構（有序或無序）計算 DP（無論是解析方式還是數值方式）的廣泛問題，其中堆疊過程可以表示為 HMM。